三維壓電偏擺臺(tái)用于晶圓表面檢測(cè)
半導(dǎo)體工業(yè)對(duì)于晶圓表面缺陷檢測(cè)的要求，一般是要求高效準(zhǔn)確，能夠捕捉有效缺陷，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)檢測(cè)。將晶圓放于精密光學(xué)平臺(tái)上，選擇合適的入射光照射于晶圓表面，晶圓隨光學(xué)平臺(tái)及旋轉(zhuǎn)托盤(pán)而運(yùn)動(dòng)，完成表面的掃描。再通過(guò)CCD等收集反射光，得到晶圓表面圖像，傳到計(jì)算機(jī)，從而檢測(cè)晶圓表面的缺陷。
芯明天高精度P51壓電偏轉(zhuǎn)/掃描臺(tái)可以實(shí)現(xiàn)θx，θy方向偏轉(zhuǎn)及Z向升降，因其分辨率高、重復(fù)定位精度高、響應(yīng)速度快等特點(diǎn)非常適于晶圓檢測(cè)，即可用于調(diào)節(jié)光路，又可調(diào)節(jié)晶圓樣品的觀(guān)測(cè)視角，大大提高了晶圓檢測(cè)的精度。
P51系列壓電偏轉(zhuǎn)臺(tái)為θx、θy 軸偏擺Z 軸升降臺(tái)，偏轉(zhuǎn)行程為±1.1mrad，Z軸直線(xiàn)行程可達(dá)100μm。臺(tái)體采用無(wú)回差柔性鉸鏈導(dǎo)向結(jié)構(gòu)，采用有限元分析進(jìn)行優(yōu)化，具有超高的剛度以及導(dǎo)向精度。
產(chǎn)品特性
運(yùn)動(dòng)自由度：θx、θy、Z
直線(xiàn)行程：100μm@150V
偏擺角度：±1.1mrad/軸@150V
直線(xiàn)分辨率可達(dá)4nm
偏擺分辨率可達(dá)0.05μrad
通孔尺寸：80×80mm
承載可達(dá)1kg
仿真分析
通過(guò)有限元FEA 優(yōu)化的鉸鏈用于導(dǎo)向機(jī)構(gòu)偏轉(zhuǎn)臺(tái)。有限元分析技術(shù)用于設(shè)計(jì)運(yùn)動(dòng)方向上的剛度，并減少角度偏差。鉸鏈部分允許*精度的運(yùn)動(dòng)，因?yàn)殂q鏈機(jī)構(gòu)無(wú)間隙、無(wú)摩擦。
帶載階躍時(shí)間
P51.ZT1S壓電偏擺臺(tái)配套E01.D3壓電控制器，加載240g負(fù)載達(dá)滿(mǎn)行程的階躍時(shí)間約50ms，加載500g 負(fù)載達(dá)滿(mǎn)行程的階躍時(shí)間約100ms。
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